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腐植酸专利

一种制备胡敏素基多孔碳负载单质铜催化剂的方法

发明(设计)人:康世民;何桂琛;罗成明;王勇;古展福;潘嘉明;古国庭;赖文康;尹晓东
申请(专利权)人:东莞理工学院
公开(公告)号:CN 108404912A   公开(公告)日:2018-08-17   法律状态:审中

摘要: 本发明公开了一种制备胡敏素基多孔碳负载单质铜催化剂的方法,步骤如下:(1)将过量氢氧化铜加入到氢氧化钾溶液中,配制饱和氢氧化铜溶液,将胡敏素加入到饱和氢氧化铜溶液中,在180?200℃下反应12h,反应后在100?120℃烘箱中烘干,得到黑色固体产物;(2)将黑色固体产物放入通氮气?;さ墓苁铰校?00?900℃反应1?2h,冷却后用去离子水反复清洗,烘干得到多孔碳负载单质铜催化剂。本发明把低价值副产物胡敏素直接转化为高价值多孔碳负载单质铜催化剂,工艺流程简单、操作方便。所得催化剂外表面是多孔状,通过氮气吸附测试催化剂比表面积高达1860m2/g,通过XRD分析所负载的铜为单质铜。

权利要求: 1.一种制备胡敏素基多孔碳负载单质铜催化剂的方法,其特征在于步骤如下:(1)将过量氢氧化铜加入到氢氧化钾溶液中,配制饱和氢氧化铜溶液,将胡敏素加入到饱和氢氧化铜溶液中,在180-200℃下反应12h,反应后在100-120℃烘箱中烘干,得到黑色固体产物;(2)将黑色固体产物放入通氮气?;さ墓苁铰?,在500-900℃反应1-2h,冷却后用去离子水反复清洗,烘干得到多孔碳负载单质铜催化剂。


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